▲ 원익아이피에스는 3 nm의 파운드리 제품의 세계 첫 양산 진입에 필요한 신규 공정과 장비의 개발에 성공하여 우리나라 반도체산업 선도에 동참하고 있다.

원익아이피에스가 PECVD 성장 방식 공정과 멀티패터닝 기술이 적용된 박막 생성 및 저온 기술이 적용된 GAA 기술로 3 nm 파운드리 제품 양산을 진행하고 8일 출하식을 개최했다.

원익아이피에스 기술이 적용되어 첫 양산된 GAA 3 nm 파운드리 제품은 삼성전자에서 진행했으며, GAA를 적용한 3 nm 파운드리 제품에 세계 첫 양산을 축하하기 위한 출하식을 개최하기도 했다.

이번에 출하된 제품에는 원익아이피에스의 GEMINI 설비를 활용하여 PECVD 방식으로 개발된 신규 공정이 적용되었고, 신규 개발에 성공한 공정 기술은 EUV 공정 도입에 따라 필요한 신규 박막을 PECVD 방식으로 성장시키는 기술, SADP(Self-Align Double Patterning) 방식에 적합한 박막을 생성하는 기술 및 저온에서 하드마스크의 고품질을 유지할 수 있는 공정 기술이 적용되었다.

현재 원익아이피에스는 3 nm의 파운드리 제품의 세계 첫 양산 진입에 필요한 신규 공정과 장비의 개발에 성공하여 우리나라 반도체산업 선도에 동참하고 있다.

원익아이피에스 이현덕 대표는 “삼성전자의 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하면서 원익IPS 역량도 강해졌다”며 “국내 반도체 장비 발전을 위해 노력하겠다”고 말했다.

한편, 원익아이피에스는 3나노 공정 안착을 위해 연구개발을 지속해 나갈 예정이며, 세계 최초 제품을 만들어내는 만큼 단순한 반도체 장비의 국산화를 넘어 글로벌 기업으로 자리 매김하기 위한 투자를 이어갈 계획이다.