▲ Schottky Barrier Diode 시제품

반도체 전문 기업 케이이씨(KEC)는 실리콘카바이드(이하 SiC) 기반의 쇼트키 배리어 다이오드(이하 SBD) 시제품을 출시한다고 밝혔다.

KEC가 이번에 발표한 시제품은 기존 실리콘 반도체에 비해 에너지 밴드갭이 넓고, 절연파괴전계가 높으며, 열전도율이 우수하여 대전력 반도체 구현을 가능하게 한다. 이는 곧 기기의 소형화·저전력화·고효율화에 기여할 수 있다.

또한 기존 미국, 독일, 일본 등 해외 제품에만 의존했던 한계를 극복하고 국산화를 이뤄냄으로써 국내 전력반도체 시장에 활력을 불어넣을 것으로 보인다.

KEC 관계자는 "SiC 대전력 반도체 시장은 2020년에 본격화되어 2022년 10억 달러, 연평균 성장률은 40%로 기대된다"면서 "이는 Green Technology의 부각과 맞물린 전기자동차 및 태양광 발전산업 등의 급부상으로 인한 결과라고 볼 수 있으며, 이에 따라 KEC도 향후 전력반도체 리딩 업체로 거듭나기 위해 SiC에 주력하고 있다"고 설명했다.

한편, KEC는 현재 ‘전기자동차와 신재생에너지용 차세대 전력반도체(SiC) 소자개발’ 국책과제에 참여하여 SiC MOSFET 기술확보에 주력하고 있으며, 내년까지 제품 상용화를 추진할 계획이다.

또한 SiC 전력반도체 조기 양산체제 구축과 이번 SBD line-up의 추가확보를 통해 향후 차세대 대전력반도체 시장 및 관련 분야에서 선도적인 기업으로의 성장을 목표로 하고 있다.